BD810G
BD810G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Gain Bandwidth Product fT
1.5 MHz
Pd - Power Dissipation
90 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
BD810G
Биполярный транзистор - BD810G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BD810G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Gain Bandwidth Product fT
1.5 MHz
Pd - Power Dissipation
90 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
BD810G
Биполярный транзистор - BD810G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BD810G ON Semiconductor.