BSS5130AT116
BSS5130AT116
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 100 mV
Gain Bandwidth Product fT
320 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
BSS5130AT116
Биполярный транзистор - BSS5130AT116
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BSS5130AT116 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 100 mV
Gain Bandwidth Product fT
320 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
BSS5130AT116
Биполярный транзистор - BSS5130AT116
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BSS5130AT116 ROHM Semiconductor.