Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated

DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated
DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated
Артикул: DN0150BDJ-7
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-963-6
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 60 MHz
Pd - Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min 200
DC Current Gain hFE Max 200 at 2 mA, 6 V
Factory Pack Quantity 10000
Height 0.45 mm
Length 1 mm
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DN0150
Subcategory Transistors
Technology Si
Width 0.8 mm
Описание

Биполярный транзистор DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DN0150BDJ-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-963-6
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 60 MHz
Pd - Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min 200
DC Current Gain hFE Max 200 at 2 mA, 6 V
Factory Pack Quantity 10000
Height 0.45 mm
Length 1 mm
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DN0150
Subcategory Transistors
Technology Si
Width 0.8 mm
Описание

Биполярный транзистор DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DN0150BDJ-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DN0150BDJ-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet