Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
DNBT8105-7 Diodes Incorporated
DNBT8105-7 Diodes Incorporated
DNBT8105-7 Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
30 at 2 A, 5 V
Factory Pack Quantity
3000
Height
1 mm
Length
2.9 mm
Maximum DC Collector Current
2 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
DNBT8
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
8 mg
Width
1.3 mm
Описание
Биполярный транзистор DNBT8105-7 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DNBT8105-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DNBT8105-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
30 at 2 A, 5 V
Factory Pack Quantity
3000
Height
1 mm
Length
2.9 mm
Maximum DC Collector Current
2 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
DNBT8
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
8 mg
Width
1.3 mm
Описание
Биполярный транзистор DNBT8105-7 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DNBT8105-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DNBT8105-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.