Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
DNLS320E-13 Diodes Incorporated
DNLS320E-13 Diodes Incorporated
DNLS320E-13 Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
450 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
1000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
150 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
2500
Height
1.6 mm
Length
6.5 mm
Maximum DC Collector Current
8 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
DNLS320
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.5 mm
Описание
Биполярный транзистор DNLS320E-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DNLS320E-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DNLS320E-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
450 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
1000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
150 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
2500
Height
1.6 mm
Length
6.5 mm
Maximum DC Collector Current
8 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
DNLS320
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.5 mm
Описание
Биполярный транзистор DNLS320E-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DNLS320E-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DNLS320E-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.