Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated

DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated

DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated
DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated
Артикул: DP0150ALP4-7B
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case DFN1006H4-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 80 MHz
Pd - Power Dissipation 450 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 120
Factory Pack Quantity 10000
Maximum DC Collector Current - 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DP0150
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 11,442 mg
Описание

Биполярный транзистор DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DP0150ALP4-7B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case DFN1006H4-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 80 MHz
Pd - Power Dissipation 450 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 120
Factory Pack Quantity 10000
Maximum DC Collector Current - 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DP0150
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 11,442 mg
Описание

Биполярный транзистор DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DP0150ALP4-7B Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DP0150ALP4-7B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet