Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
DSM80100M-7 Diodes Incorporated
DSM80100M-7 Diodes Incorporated
DSM80100M-7 Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-26-6
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 80 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Pd - Power Dissipation
600 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
- 500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
120
DC Current Gain hFE Max
500 at - 10 mA, - 1 V
Factory Pack Quantity
3000
Height
1.1 mm
Length
3 mm
Maximum DC Collector Current
- 1 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
DSM801
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
15 mg
Width
1.6 mm
Описание
Биполярный транзистор DSM80100M-7 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DSM80100M-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DSM80100M-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-26-6
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 80 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Pd - Power Dissipation
600 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
- 500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
120
DC Current Gain hFE Max
500 at - 10 mA, - 1 V
Factory Pack Quantity
3000
Height
1.1 mm
Length
3 mm
Maximum DC Collector Current
- 1 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
DSM801
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
15 mg
Width
1.6 mm
Описание
Биполярный транзистор DSM80100M-7 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент DSM80100M-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DSM80100M-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.