Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated

DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated
DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated
Артикул: DSS60601MZ4-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 1200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 150 at 500 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.6 mm
Length 6.5 mm
Maximum DC Collector Current 12 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DSS60
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.5 mm
Описание

Биполярный транзистор DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DSS60601MZ4-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 1200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 150 at 500 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.6 mm
Length 6.5 mm
Maximum DC Collector Current 12 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DSS60
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.5 mm
Описание

Биполярный транзистор DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DSS60601MZ4-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DSS60601MZ4-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet