Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
DXT13003DK-13 Diodes Incorporated

DXT13003DK-13 Diodes Incorporated

DXT13003DK-13 Diodes Incorporated
DXT13003DK-13 Diodes Incorporated
Артикул: DXT13003DK-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DXT13003DK-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-252-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.4 V
Gain Bandwidth Product fT 4 MHz
Pd - Power Dissipation 3.9 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 5 at 1 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 25 at 1 A, 2 V
Factory Pack Quantity 2500
Maximum DC Collector Current 1.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DXT13003
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 330 mg
Описание

Биполярный транзистор DXT13003DK-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DXT13003DK-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DXT13003DK-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-252-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.4 V
Gain Bandwidth Product fT 4 MHz
Pd - Power Dissipation 3.9 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 5 at 1 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 25 at 1 A, 2 V
Factory Pack Quantity 2500
Maximum DC Collector Current 1.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DXT13003
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 330 mg
Описание

Биполярный транзистор DXT13003DK-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DXT13003DK-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DXT13003DK-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet