Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

DXT5551-13 Diodes Incorporated

DXT5551-13 Diodes Incorporated
DXT5551-13 Diodes Incorporated
Артикул: DXT5551-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DXT5551-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 160 V
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 200 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 30 at 50 mA, 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.6 mm
Length 4.6 mm
Maximum DC Collector Current 600 mA
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DXT5551
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.6 mm
Описание

Биполярный транзистор DXT5551-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DXT5551-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DXT5551-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 160 V
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 200 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 30 at 50 mA, 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.6 mm
Length 4.6 mm
Maximum DC Collector Current 600 mA
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DXT5551
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.6 mm
Описание

Биполярный транзистор DXT5551-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DXT5551-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DXT5551-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet