Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

DXT651Q-13 Diodes Incorporated

DXT651Q-13 Diodes Incorporated
DXT651Q-13 Diodes Incorporated
Артикул:
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DXT651Q-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.23 V
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 2 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 100
DC Current Gain hFE Max 300
Factory Pack Quantity 2500
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Описание

Биполярный транзистор DXT651Q-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DXT651Q-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DXT651Q-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.23 V
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 2 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 100
DC Current Gain hFE Max 300
Factory Pack Quantity 2500
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Описание

Биполярный транзистор DXT651Q-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DXT651Q-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DXT651Q-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet