Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

DZT5401-13 Diodes Incorporated

DZT5401-13 Diodes Incorporated
DZT5401-13 Diodes Incorporated
Артикул: DZT5401-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: DZT5401-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 150 V
Collector- Base Voltage VCBO - 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 500 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at - 1 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.6 mm
Length 6.5 mm
Maximum DC Collector Current - 600 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DZT5401
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.5 mm
Описание

Биполярный транзистор DZT5401-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DZT5401-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DZT5401-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 150 V
Collector- Base Voltage VCBO - 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 500 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at - 1 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.6 mm
Length 6.5 mm
Maximum DC Collector Current - 600 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series DZT5401
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.5 mm
Описание

Биполярный транзистор DZT5401-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент DZT5401-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом DZT5401-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet