ECH8102-TL-H
ECH8102-TL-H
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
ECH-8
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 80 mV
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Pd - Power Dissipation
1.6 W
Описание
ECH8102-TL-H
Биполярный транзистор - ECH8102-TL-H
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ECH8102-TL-H ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
ECH-8
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 80 mV
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Pd - Power Dissipation
1.6 W
Описание
ECH8102-TL-H
Биполярный транзистор - ECH8102-TL-H
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ECH8102-TL-H ON Semiconductor.