ECH8501-TL-H
ECH8501-TL-H
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
ECH-8
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V, - 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
75 mV, - 100 mV
Gain Bandwidth Product fT
260 MHz, 280 MHz
Pd - Power Dissipation
1.6 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ECH8501-TL-H
Биполярный транзистор - ECH8501-TL-H
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ECH8501-TL-H ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
ECH-8
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V, - 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
75 mV, - 100 mV
Gain Bandwidth Product fT
260 MHz, 280 MHz
Pd - Power Dissipation
1.6 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ECH8501-TL-H
Биполярный транзистор - ECH8501-TL-H
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ECH8501-TL-H ON Semiconductor.