FJD5553TM
FJD5553TM
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor / Fairchild
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
400 V
Collector- Base Voltage VCBO
1.05 kV
Emitter- Base Voltage VEBO
14 V
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
FJD5553TM
Биполярный транзистор - FJD5553TM
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - FJD5553TM ON Semiconductor / Fairchild.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor / Fairchild
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
400 V
Collector- Base Voltage VCBO
1.05 kV
Emitter- Base Voltage VEBO
14 V
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
FJD5553TM
Биполярный транзистор - FJD5553TM
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - FJD5553TM ON Semiconductor / Fairchild.