Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FMMT415TD Diodes Incorporated

FMMT415TD Diodes Incorporated

FMMT415TD Diodes Incorporated
FMMT415TD Diodes Incorporated
Артикул: FMMT415TD
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: FMMT415TD Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 260 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 40 MHz
Pd - Power Dissipation 330 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 25 at 10 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 25 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 500
Height 1.1 mm
Length 3 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FMMT41
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор FMMT415TD Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FMMT415TD Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FMMT415TD , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 260 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 40 MHz
Pd - Power Dissipation 330 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 25 at 10 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 25 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 500
Height 1.1 mm
Length 3 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FMMT41
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор FMMT415TD Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FMMT415TD Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FMMT415TD , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet