Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FMMT555TA Diodes Incorporated

FMMT555TA Diodes Incorporated

FMMT555TA Diodes Incorporated
FMMT555TA Diodes Incorporated
Артикул:
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: FMMT555TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 150 V
Collector- Base Voltage VCBO - 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.35 V
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 500 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 50 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1.1 mm
Length 3 mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FMMT55
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор FMMT555TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FMMT555TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FMMT555TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 150 V
Collector- Base Voltage VCBO - 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.35 V
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 500 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 10 mA, 10 V, 50 at 300 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 50 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1.1 mm
Length 3 mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FMMT55
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор FMMT555TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FMMT555TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FMMT555TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet