Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

FZT489QTA Diodes Incorporated

FZT489QTA Diodes Incorporated
FZT489QTA Diodes Incorporated
Артикул: FZT489QTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: FZT489QTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 3 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 100 at 1 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 1 A, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Maximum DC Collector Current 4 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Описание

Биполярный транзистор FZT489QTA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT489QTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT489QTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 30 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 3 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 100 at 1 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 1 A, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Maximum DC Collector Current 4 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Описание

Биполярный транзистор FZT489QTA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT489QTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT489QTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet