Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZT658TA Diodes Incorporated

FZT658TA Diodes Incorporated

FZT658TA Diodes Incorporated
FZT658TA Diodes Incorporated
Артикул: FZT658TA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: FZT658TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 50 MHz
Pd - Power Dissipation 2 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 50
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FZT658
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание

Биполярный транзистор FZT658TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT658TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT658TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 50 MHz
Pd - Power Dissipation 2 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 50
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FZT658
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание

Биполярный транзистор FZT658TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT658TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT658TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet