Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
FZT755TA Diodes Incorporated
FZT755TA Diodes Incorporated
FZT755TA Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
150 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
50
DC Current Gain hFE Max
300
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
FZT755
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор FZT755TA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT755TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT755TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
150 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
50
DC Current Gain hFE Max
300
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
1 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
FZT755
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор FZT755TA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT755TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT755TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.