Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FZT853TA Diodes Incorporated

FZT853TA Diodes Incorporated

FZT853TA Diodes Incorporated
FZT853TA Diodes Incorporated
Артикул: FZT853TA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: FZT853TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 200 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 340 mV
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 3 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 6 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 100
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 10 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FZT853
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание

Биполярный транзистор FZT853TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT853TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT853TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 200 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 340 mV
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 3 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 6 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 100
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 10 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series FZT853
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание

Биполярный транзистор FZT853TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент FZT853TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом FZT853TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet