Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE-GR,LF
HN1A01FE-GR,LF
Артикул: HN1A01FE-GR,LF
Производитель: Toshiba
Описание: HN1A01FE-GR,LF
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Toshiba
Package/Case ES6-6
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT 80 MHz
Pd - Power Dissipation 100 mW
Описание
HN1A01FE-GR,LF Биполярный транзистор - HN1A01FE-GR,LFБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1A01FE-GR,LF Toshiba.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer Toshiba
Package/Case ES6-6
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 50 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT 80 MHz
Pd - Power Dissipation 100 mW
Описание
HN1A01FE-GR,LF Биполярный транзистор - HN1A01FE-GR,LFБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1A01FE-GR,LF Toshiba.
Скачать datasheet