Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G
HN1B01FDW1T1G
Артикул: HN1B01FDW1T1G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: HN1B01FDW1T1G
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case SC-74-6
Transistor Polarity NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.15 V
Pd - Power Dissipation 380 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание
HN1B01FDW1T1G Биполярный транзистор - HN1B01FDW1T1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1B01FDW1T1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case SC-74-6
Transistor Polarity NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.15 V
Pd - Power Dissipation 380 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание
HN1B01FDW1T1G Биполярный транзистор - HN1B01FDW1T1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1B01FDW1T1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet