HN1B04FE-GR,LF
HN1B04FE-GR,LF
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-563-6
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V, - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz, 80 MHz
Pd - Power Dissipation
100 mW
Описание
HN1B04FE-GR,LF Биполярный транзистор - HN1B04FE-GR,LFБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1B04FE-GR,LF Toshiba.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-563-6
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V, - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz, 80 MHz
Pd - Power Dissipation
100 mW
Описание
HN1B04FE-GR,LF Биполярный транзистор - HN1B04FE-GR,LFБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1B04FE-GR,LF Toshiba.
Скачать datasheet