HN1C01FYTE85LF
HN1C01FYTE85LF
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-26-6
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.1 V
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
HN1C01FYTE85LF
Биполярный транзистор - HN1C01FYTE85LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1C01FYTE85LF Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-26-6
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.1 V
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
HN1C01FYTE85LF
Биполярный транзистор - HN1C01FYTE85LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1C01FYTE85LF Toshiba.