HN1C03FU-B,LF
HN1C03FU-B,LF
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
US-6
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.042 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
HN1C03FU-B,LF
Биполярный транзистор - HN1C03FU-B,LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1C03FU-B,LF Toshiba.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
US-6
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.042 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
HN1C03FU-B,LF
Биполярный транзистор - HN1C03FU-B,LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN1C03FU-B,LF Toshiba.