HN4A51JTE85LF
HN4A51JTE85LF
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-25-5
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 120 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
HN4A51JTE85LF
Биполярный транзистор - HN4A51JTE85LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN4A51JTE85LF Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-25-5
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 120 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
HN4A51JTE85LF
Биполярный транзистор - HN4A51JTE85LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN4A51JTE85LF Toshiba.