HN4C51J(TE85L,F)
HN4C51J(TE85L,F)
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-25-5
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
120 V
Collector- Base Voltage VCBO
120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
HN4C51J(TE85L,F)
Биполярный транзистор - HN4C51J(TE85L,F)
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN4C51J(TE85L,F) Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-25-5
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
120 V
Collector- Base Voltage VCBO
120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
HN4C51J(TE85L,F)
Биполярный транзистор - HN4C51J(TE85L,F)
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - HN4C51J(TE85L,F) Toshiba.