IGLD60R190D1AUMA1
IGLD60R190D1AUMA1
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Infineon Technologies
Package/Case
LSON-8
Transistor Polarity
NPN
Collector- Base Voltage VCBO
600 V
Pd - Power Dissipation
62.5 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
IGLD60R190D1AUMA1
Биполярный транзистор - IGLD60R190D1AUMA1
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IGLD60R190D1AUMA1Infineon Technologies.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Infineon Technologies
Package/Case
LSON-8
Transistor Polarity
NPN
Collector- Base Voltage VCBO
600 V
Pd - Power Dissipation
62.5 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
IGLD60R190D1AUMA1
Биполярный транзистор - IGLD60R190D1AUMA1
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IGLD60R190D1AUMA1Infineon Technologies.