Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
IGT40R070D1E8220ATMA1
IGT40R070D1E8220ATMA1
IGT40R070D1E8220ATMA1
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Infineon Technologies
Package/Case
HSOF-8
Transistor Polarity
NPN
Collector- Base Voltage VCBO
400 V
Pd - Power Dissipation
125 W
Minimum Operating Temperature
0 C
Описание
IGT40R070D1E8220ATMA1
Биполярный транзистор - IGT40R070D1E8220ATMA1
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon Technologies.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Infineon Technologies
Package/Case
HSOF-8
Transistor Polarity
NPN
Collector- Base Voltage VCBO
400 V
Pd - Power Dissipation
125 W
Minimum Operating Temperature
0 C
Описание
IGT40R070D1E8220ATMA1
Биполярный транзистор - IGT40R070D1E8220ATMA1
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon Technologies.