IMT1AT110
IMT1AT110
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
IMT1AT110
Биполярный транзистор - IMT1AT110
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMT1AT110 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Описание
IMT1AT110
Биполярный транзистор - IMT1AT110
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMT1AT110 ROHM Semiconductor.