IMX1T110
IMX1T110
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
180 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
IMX1T110
Биполярный транзистор - IMX1T110
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMX1T110 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
180 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
IMX1T110
Биполярный транзистор - IMX1T110
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - IMX1T110 ROHM Semiconductor.