История:
MPC8314ECVRAGDA
MJ14002G
MJ14002G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Pd - Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJ14002G
Биполярный транзистор - MJ14002G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJ14002G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Pd - Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJ14002G
Биполярный транзистор - MJ14002G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJ14002G ON Semiconductor.
