MJD200T4G
MJD200T4G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
25 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
8 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Gain Bandwidth Product fT
65 MHz
Pd - Power Dissipation
12.5 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJD200T4G
Биполярный транзистор - MJD200T4G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD200T4G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
25 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
8 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Gain Bandwidth Product fT
65 MHz
Pd - Power Dissipation
12.5 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJD200T4G
Биполярный транзистор - MJD200T4G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD200T4G ON Semiconductor.