Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
MJD31C-13 Diodes Incorporated
MJD31C-13 Diodes Incorporated
MJD31C-13 Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Pd - Power Dissipation
1560 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
25
DC Current Gain hFE Max
40 at 3 A, 4 V
Factory Pack Quantity
2500
Height
2.4 mm
Length
6.8 mm
Maximum DC Collector Current
3 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
MJD31C
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
350 mg
Width
6.2 mm
Описание
Биполярный транзистор MJD31C-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MJD31C-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MJD31C-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Pd - Power Dissipation
1560 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
25
DC Current Gain hFE Max
40 at 3 A, 4 V
Factory Pack Quantity
2500
Height
2.4 mm
Length
6.8 mm
Maximum DC Collector Current
3 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
MJD31C
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
350 mg
Width
6.2 mm
Описание
Биполярный транзистор MJD31C-13 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MJD31C-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MJD31C-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.