MJD32CQ-13
MJD32CQ-13
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.2 V
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MJD32CQ-13
Биполярный транзистор - MJD32CQ-13
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD32CQ-13 Diodes Incorporated.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 1.2 V
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MJD32CQ-13
Биполярный транзистор - MJD32CQ-13
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD32CQ-13 Diodes Incorporated.