Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

MJD32CQ-13 Diodes Incorporated

MJD32CQ-13 Diodes Incorporated
MJD32CQ-13 Diodes Incorporated
Артикул: MJD32CQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MJD32CQ-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-252-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 100 V
Collector- Base Voltage VCBO - 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 1.2 V
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz
Pd - Power Dissipation 15 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 10
DC Current Gain hFE Max 50
Factory Pack Quantity 2500
Maximum DC Collector Current - 3 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 330 mg
Описание

Биполярный транзистор MJD32CQ-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MJD32CQ-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MJD32CQ-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-252-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 100 V
Collector- Base Voltage VCBO - 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 1.2 V
Gain Bandwidth Product fT 3 MHz
Pd - Power Dissipation 15 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 10
DC Current Gain hFE Max 50
Factory Pack Quantity 2500
Maximum DC Collector Current - 3 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 330 mg
Описание

Биполярный транзистор MJD32CQ-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MJD32CQ-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MJD32CQ-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet