Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

MJD350-13 Diodes Incorporated

MJD350-13 Diodes Incorporated
MJD350-13 Diodes Incorporated
Артикул: MJD350-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MJD350-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case DPAK-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Collector- Base Voltage VCBO 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO 3 V
Pd - Power Dissipation 1560 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 30
DC Current Gain hFE Max 30 at 50 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Length 6.8 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series MJD350
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 260,400 mg
Width 6.2 mm
Описание

Биполярный транзистор MJD350-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MJD350-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MJD350-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case DPAK-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Collector- Base Voltage VCBO 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO 3 V
Pd - Power Dissipation 1560 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 30
DC Current Gain hFE Max 30 at 50 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Length 6.8 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series MJD350
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 260,400 mg
Width 6.2 mm
Описание

Биполярный транзистор MJD350-13 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MJD350-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MJD350-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet