MJD42C1G
MJD42C1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
IPAK-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Pd - Power Dissipation
1.75 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJD42C1G
Биполярный транзистор - MJD42C1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD42C1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
IPAK-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Pd - Power Dissipation
1.75 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJD42C1G
Биполярный транзистор - MJD42C1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD42C1G ON Semiconductor.