MJD45H11T4
MJD45H11T4
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
STMicroelectronics
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Pd - Power Dissipation
20 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MJD45H11T4
Биполярный транзистор - MJD45H11T4
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD45H11T4 STMicroelectronics.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
STMicroelectronics
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Pd - Power Dissipation
20 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MJD45H11T4
Биполярный транзистор - MJD45H11T4
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD45H11T4 STMicroelectronics.