MJD5731T4G
MJD5731T4G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
5 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MJD5731T4G
Биполярный транзистор - MJD5731T4G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD5731T4G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-252-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
5 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MJD5731T4G
Биполярный транзистор - MJD5731T4G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJD5731T4G ON Semiconductor.