MJE5731AG
MJE5731AG
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
375 V
Collector- Base Voltage VCBO
350 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Pd - Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJE5731AG
Биполярный транзистор - MJE5731AG
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJE5731AG ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
375 V
Collector- Base Voltage VCBO
350 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
10 MHz
Pd - Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJE5731AG
Биполярный транзистор - MJE5731AG
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJE5731AG ON Semiconductor.