Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

MJE5731G

MJE5731G
MJE5731G
Артикул: MJE5731G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: MJE5731G
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case TO-220-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 350 V
Collector- Base Voltage VCBO 350 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Gain Bandwidth Product fT 10 MHz
Pd - Power Dissipation 40 W
Minimum Operating Temperature - 65 C
Описание

MJE5731G

Биполярный транзистор - MJE5731G

Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJE5731G ON Semiconductor.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case TO-220-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 350 V
Collector- Base Voltage VCBO 350 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Gain Bandwidth Product fT 10 MHz
Pd - Power Dissipation 40 W
Minimum Operating Temperature - 65 C
Описание

MJE5731G

Биполярный транзистор - MJE5731G

Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJE5731G ON Semiconductor.

Скачать datasheet