MJE5851G
MJE5851G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
400 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Pd - Power Dissipation
80 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJE5851G
Биполярный транзистор - MJE5851G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJE5851G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-220-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
350 V
Collector- Base Voltage VCBO
400 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Pd - Power Dissipation
80 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
MJE5851G
Биполярный транзистор - MJE5851G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MJE5851G ON Semiconductor.