Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

MMBT4401-13-F Diodes Incorporated

MMBT4401-13-F Diodes Incorporated
MMBT4401-13-F Diodes Incorporated
Артикул: MMBT4401-13-F
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MMBT4401-13-F Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 750 mV
Gain Bandwidth Product fT 250 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at 100 uA, 1 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 150 mA, 1 V
Factory Pack Quantity 10000
Maximum DC Collector Current 600 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Описание

Биполярный транзистор MMBT4401-13-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMBT4401-13-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMBT4401-13-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 750 mV
Gain Bandwidth Product fT 250 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at 100 uA, 1 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 150 mA, 1 V
Factory Pack Quantity 10000
Maximum DC Collector Current 600 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Описание

Биполярный транзистор MMBT4401-13-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMBT4401-13-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMBT4401-13-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet