MMBT5401Q-7-F
MMBT5401Q-7-F
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 150 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5401Q-7-F Биполярный транзистор - MMBT5401Q-7-FБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5401Q-7-F Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 150 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5401Q-7-F Биполярный транзистор - MMBT5401Q-7-FБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5401Q-7-F Diodes Incorporated.
Скачать datasheet

