MMBT5401WT1G
MMBT5401WT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 150 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
400 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5401WT1G
Биполярный транзистор - MMBT5401WT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5401WT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 150 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
400 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5401WT1G
Биполярный транзистор - MMBT5401WT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5401WT1G ON Semiconductor.