MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
140 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.15 V
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5551LT1G
Биполярный транзистор - MMBT5551LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5551LT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
140 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.15 V
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5551LT1G
Биполярный транзистор - MMBT5551LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5551LT1G ON Semiconductor.