MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-723-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
640 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5551M3T5G
Биполярный транзистор - MMBT5551M3T5G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5551M3T5G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-723-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
640 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBT5551M3T5G
Биполярный транзистор - MMBT5551M3T5G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBT5551M3T5G ON Semiconductor.