MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
25 V
Collector- Base Voltage VCBO
30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
3 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
800 MHz
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBTH10-4LT1G
Биполярный транзистор - MMBTH10-4LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
25 V
Collector- Base Voltage VCBO
30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
3 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
800 MHz
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MMBTH10-4LT1G
Биполярный транзистор - MMBTH10-4LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor.